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bet36最新体育备用 中国首批国产8英寸IGBT芯片达国际先进水平

2019-09-22作者:织梦帮来源:dedesos.com次阅读

    继国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲所投产后,该所又传来好消息:近日,载有首批8英寸IGBT芯片的模块,在昆明地铁车辆段完成段内调试,并稳定运行一万公里,各项参数指标均达国际先进水平。

    此次试运行的IGBT模块,由南车株洲所旗下南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成,IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在公司研制和生产。它的诞生到应用,已彻底打破国外高端IGBT技术垄断,实现从研发、制造到应用的完全国产化。

    作为电力电子装置的“心脏”,IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是,国内IGBT技术起步较晚,发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。二十世纪六十年代初,株洲所开始培养我国最早的半导体器件研发队伍。改革开放后,该所从美国西屋公司引进一条3英寸大功率半导体生产线,通过消化和吸收,先后成功研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上第一只6英寸晶闸管。

    2008年,南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司,2012年,株洲所投资15亿元,在株洲建设起国内第一条8英寸IGBT专业芯片线,并于今年6月正式投产。10月,自主IGBT模块成功通过功率考核试验,并于当月底装载至昆明地铁1号线城轨车辆。

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编辑:dedesos.com 关键词: IGBT 芯片 水平

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